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メーカー別製品 インテンス社 Intense

インテンス社

 インテンス社は、ビーム広がりを抑え、電気的・熱的性能を改善するAW (Asymmetric Waveguide技術)と、レーザダイオードのミラー付近にパッシブ導波路を形成することにより、放射ダメージに対する耐性を飛躍的に向上させることにより、レーザ出力を高める、QWI(Quantum Well mixing=量子井戸インターミキシング)技術とに関する10個のパテントを有しております。

シングルチップ半導体レーザ

インテンス社(intense) シングルチップLD 〈コンポーネンツ、レーザ、バー&スタックアレイ〉

  • 加工用途
  • 医療用途
  • 微細用途
  • 理化学用途
  • 産業用途
  • 計測用途
波長:630〜 1550nm   出力:0.1〜3kW

インテンス社は、ビームの広がりを抑え、電気的・熱的性能を改善するAW (Asymmetric Waveguide技術)や、レーザダイオードのミラー付近にパッシブ導波路を形成することにより、放射ダメージに対する耐性を飛躍的に向上させレーザ出力を高める、QWI(Quantum Well mixing=量子井戸インターミキシング)技術等に関する多くのパテントを有しています。