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半導体レーザ(紫外~中赤外) 473nmレーザー

用途

  • 理化学用途
  • 計測用途

473nm

製品特長

  • 波長:473nm
  • 出力:100 mW

・小型で高品質な半導体レーザーモジュール

・高品質なビームプロファイル

・高速で高アスペクト比の直接デジタル・アナログ変調

・PCからの簡単操作

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製品仕様

仕様/波長 473 nm
出力 100 mW
広がり角 < 1.2 mrad
ビーム横モード  < 1.2 (TEM00)
M2 700 μm ±100 μm
ビームシンメトリー > 0.90:1
スペクトル幅 < 1.2 nm
ノイズ(pk-pk) 250Hz〜2MHz < 1 %
ノイズ(rms) 250Hz〜2MHz < 0.2 %
長時間安定度(8時間) < 1 %
消光比 > 100 : 1 垂直
デジタルモジュレーション バンド幅:DC-150 MHz, 消光比:>10 000 000:1, 立ち上がり/立ち下がり時間:<2.5 ns
アナログモジュレーション バンド幅:DC-2 MHz, 消光比:>10 000 000:1, 立ち上がり/立ち下がり時間:<300 ns
リモート オン/オフ バンド幅:DC-500 kHz, 消光比:1:inf, 立ち上がり/立ち下がり時間:<300 ns
最大ベースプレート温度 50℃
消費電力 < 12 W
通信 RS-232又はUSB
レーザヘッドサイズ 100 × 40 × 40 ㎜
コントローラサイズ 82 x 56.6 x 32 ㎜ (MLD)

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