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半導体レーザ(紫外~中赤外) Brolis Semiconductors社製1940nm中赤外半導体レーザー

用途

  • 理化学用途
  • 産業用途
  • 計測用途

1940nm_midir

製品特長

  • 波長:1940nm
  • 出力:1W (アレイ化で最大15W)

19XX nmの高出力CWレーザーダイオードは、1940nmに強い吸収ピークがあるため医療用途に適しております。また、ミサイル防衛、IRCM、及びLIDAR等にも使用することができます。Brolis社の1940 nmレーザーは、シングルエミッターのみならずアレイとしても提供することができます。シングルエミッタ1940 nmレーザーには、CWでWPE 15%、1 Wの出力と、ヒートシンク付きのレーザーダイオードバーでCW, 出力15 W があります。パッケージの種類は、TO5、Cマウント、CSマウントで提供致します。

このBrolis独自のGaSbタイプIレーザー技術は市場で最大級の3インチGaSb基板プラットフォーム上に高度なマルチウェーハ分子線エピタキシーを含む最先端のクリーンルーム施設によりもたらされております。デバイスシミュレーション、ウェーハ成長、チップ製造、チップテスト、最終パッケージから、あらゆるプロセスを監視し、制御します。Brolis Semiconductorsは最先端の中赤外レーザー技術で培ってきた長年の経験を持っております。

製品仕様

物理的特性
共振器長 1.5 / 2.0 mm
エミッタ幅 120/150 um
電気特性
閾値電流 650 mW
EO効率 15-20 %
電圧 1.7 V
光学特性
波長 1940 nm
出力電力 1 W
ビームの発散 15 SA / 50 FA 度
偏光 TE

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