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半導体レーザ(紫外~中赤外) Brolis Semiconductors社製21xxnm中赤外半導体レーザー

用途

  • 理化学用途
  • 産業用途
  • 計測用途

2100nm_midir

製品特長

  • 波長:2100nm
  • 出力:1W (アレイ化で最大15W )

21XX nm高出力CW中赤外レーザーダイオードは、SWIR照明、ミサイル防衛、IRCM、及びLIDARアプリケーションに理想的なレーザーです。Brolisの 2ミクロン高出力レーザーは、シングルエミッタでCW, 出力1W, レーザーダイオードバーでCW, 出力10 Wまでございます。これらのレーザーは室温で最高ウォールプラグ効率20%と0.3W / Aのスロープ効率を実現します。パッケージの種類は、TO5、Cマウント、CSマウントで提供致します。

このBrolis独自のGaSbタイプIレーザー技術は市場で最大級の3インチGaSb基板プラットフォーム上に高度なマルチウェーハ分子線エピタキシーを含む最先端のクリーンルーム施設によりもたらされております。デバイスシミュレーション、ウェーハ成長、チップ製造、チップテスト、最終パッケージから、あらゆるプロセスを監視し、制御します。Brolis Semiconductorsは最先端の中赤外レーザー技術で培ってきた長年の経験を持っております。

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製品仕様

物理的特性
共振器長 1.0/1.5 / 2.0 mm
エミッタ幅 120/150 um
電気特性
閾値電流 250-300 mA
EO効率 20-30 %
電圧 1.4 V
光学特性
波長 2100 nm
出力電力 0.8-1.2 W
ビームの発散 15 SA / 50 FA 度
偏光 TE

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