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半導体レーザ(紫外~中赤外) Brolis Semiconductors社製24xxnm中赤外半導体レーザー

用途

  • 理化学用途
  • 産業用途
  • 計測用途

2400nm_midir

製品特長

  • 波長:2400nm
  • 出力:600mW (アレイ化で最大5W )

Brolis Semiconductorsには2400 nm〜2500 nmの波長範囲の高出力CW中赤外レーザーダイオードがございます。典型的な2400nm高出力レーザーは、50℃を超える高温動作が可能であり、シングルエミッタで600mWまでの出力と、レーザーバーにより5W以上の出力が可能です。パッケージの種類は、TO5、Cマウント、CSマウントで提供致します。

このBrolis独自のGaSbタイプIレーザー技術は市場で最大級の3インチGaSb基板プラットフォーム上に高度なマルチウェーハ分子線エピタキシーを含む最先端のクリーンルーム施設によりもたらされております。デバイスシミュレーション、ウェーハ成長、チップ製造、チップテスト、最終パッケージから、あらゆるプロセスを監視し、制御します。Brolis Semiconductorsは最先端の中赤外レーザー技術で培ってきた長年の経験を持っております。

製品仕様

物理的特性
共振器長 1.0/1.5 / 2.0 mm
エミッタ幅 90/120/150 um
電気特性
閾値電流 550-600 mA
電圧 1.4 V
光学特性
波長 2450 nm
出力電力 0.5-0.6 W
ビームの発散 15 SA / 50 FA 度
偏光 TE

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